文献类型:专著 浏览次数:30
  • 题名:纳米集成电路FinFET器件物理与模型
  • 责任者:(美)萨马·K.萨哈(Samar K.Saha)著
  • 出版社机械工业出版社
  • 出版年:2022.02
  • ISBN:978-7-111-69481-6
  • 定价:119.00
  • 载体形态项:13,238页 24cm
  • 个人责任者:萨哈著、丁扣宝译
  • 学科主题:纳米材料
  • 中图法分类号:TN405
  • 提要文摘附注:本书讲解FinFET器件电子学,介绍FinFET器件的结构、工作原理和模型等。本书主要内容有:主流MOSFET在22nm节点以下由于短沟道效应所带来的缩小限制概述;基本半导体电子学和pn结工作原理;多栅MOS电容器系统的基本结构和工作原理;非平面CMOS工艺中的FinFET器件结构和工艺技术;FinFET基本理论;FinFET小尺寸效应;FinFET泄漏电流;FinFET寄生电阻和寄生电容;FinFET工艺、器件和电路设计面临的主要挑战;FinFET器件紧凑模型。
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