文献类型:专著 浏览次数:3
  • 题名:宽禁带半导体氧化镓.结构、制备与性能
  • 责任者:陶绪堂[等]编著
  • 出版社西安电子科技大学出版社
  • 出版年:2022.09
  • ISBN:978-7-5606-6444-6
  • 定价:128.00
  • 载体形态项:316页 24cm
  • 个人责任者:陶绪堂编著
  • 学科主题:禁带
  • 中图法分类号:TN304.2
  • 提要文摘附注:氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料,在高压功率器件、深紫外光电探测、高亮度LED等方面都具有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍。重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、纳米结构及薄膜外延方面的研究成果。系统阐述了获得高质量体块单晶、纳米结构材料及薄膜的思路和方法,并对氧化镓材料的发展进行了综述和展望。
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