文献类型:专著 浏览次数:2
  • 题名:半导体器件建模与测试实验教程.基于华大九天器件建模与验证平台XModel
  • 责任者:杜江锋,石艳玲,朱能勇编著
  • 出版社电子工业出版社
  • 出版年:2025.01
  • ISBN:978-7-121-49371-3
  • 定价:58.00
  • 载体形态项:213页 26cm
  • 个人责任者:杜江锋编著、石艳玲编著、朱能勇编著
  • 学科主题:半导体器件
  • 中图法分类号:TN303
  • 提要文摘附注:本书基于国产EDA软件EmpyreanXmodel器件模型提取工具,系统、全面地介绍硅基MOSFET和GaNHEMT的器件建模、测试分析和参数提取的设计和实验全流程。本书在简要介绍半导体器件的基本理论、测试结构和测试方案的基础上,详细阐述MOSFETBSIM模型和参数提取实验、Xmodel集成的数据图形化显示系统、MOSFET器件直流模型和射频模型的提取实验、基于ASM-HEMT模型的GaN功率器件和射频器件的模型参数提取实验等,以及半导体器件中常见的各种二阶效应(如短沟道效应、版图邻近效应、工艺角模型和温度特性等)非线性模型参数的提取和验证方法。
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