文献类型:专著 浏览次数:2
  • 题名:HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究
  • 责任者:田媛著
  • 出版社东北大学出版社
  • 出版年:2019.09
  • ISBN:978-7-5517-2274-2
  • 定价:48.00
  • 载体形态项:106页 26cm
  • 个人责任者:田媛著
  • 学科主题:单晶
  • 中图法分类号:O782
  • 提要文摘附注:本书主要结合作者在该领域的研究成果,介绍了获得高质量自支撑GaN单晶的方法。第二三章介绍了衬底及V/III对GaN单晶生长动力学及晶体质量的影响,优化了GaN单晶生长工艺;第四五章介绍了采用低温缓冲层技术分别在并在蓝宝石和SiC衬底上生长获得自支撑GaN单晶的方法;第六章介绍了高温退火法在表征GaN单晶位错方面的应用,第七八章在第六章的基础上提出了高温退火法处理衬底,获得自支撑GaN单晶的方法。
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